DS 3: Ionenimplantation III
Montag, 22. März 1999, 14:00–15:15, PC 7
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14:00 |
DS 3.1 |
Fachvortrag:
Strahlenschäden in Silicium durch fokussierte Ionenstrahlen — •S. Hausmann, J. Teichert, L. Bischoff, M. Voelskow, W. Möller, H. Hobert und H. Fuhrmann
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14:15 |
DS 3.2 |
Fachvortrag:
He+ und H+ Implantation in vergrabene SiC Schichten — •W. Attenberger, J.K.N. Lindner und B. Stritzker
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14:30 |
DS 3.3 |
Fachvortrag:
Dynamic annealing of ion-beam induced damage in α-Quartz — •S. Dhar, W. Bolse, and K.P. Lieb
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14:45 |
DS 3.4 |
Fachvortrag:
Einfluß von Alkali-Ionen als Netzwerkwandler in der Rekristallisation von α-Quartz — •F. Roccaforte, M.J. Gustafsson, W. Bolse, J. Keinonen, and K.P. Lieb
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15:00 |
DS 3.5 |
Fachvortrag:
Ionenstrahlinduzierte und thermische Kristallisation von α-SiC — •M. Schmid, W. Attenberger, J.K.N. Lindner, B. Stritzker und J. Zweck
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