Münster 1999 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 5: Harte Schichten I

DS 5.1: Fachvortrag

Monday, March 22, 1999, 16:45–17:00, PC 7

In-situ Untersuchung des Wachstums von c-BN Schichten mit spektroskopischer Ellipsometrie im mittleren IR — •P. Scheible, L. Ulrich und A. Lunk — Institut für Plasmaforschung, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 31, D-70569 Stuttgart;

Schichten aus sehr phasenreinem, kubischen Bornitrid (c-BN) wurden im Hohlkathodenbogenverdampfer auf Silizium und auf mit Titannitrid (TiN) beschichtetem Hartmetall abgeschieden. Das Schichtwachstum wurde in-situ mit polarisierter FTIR-Reflexionsspektroskopie beobachtet. Der optische Aufbau entspricht einer Ellipsometrieanordnung mit festem Polarisator und rotierendem Analysator. Für die quantitative Auswertung der Daten wurden die Spektren mit der Software WVASE32^TM simuliert. Ziel der Untersuchungen ist es, aus der Frequenz der Gitterschwingungen die mechanischen Spannungen der c-BN Schichten während des Wachstums als Funktion der Beschichtungsparameter zu bestimmen. Diskutiert werden die Ergebnisse der Auswertung von ellipsometrischen Daten und von Reflexionsspektren mit polarisierter IR-Strahlung für die Schichtsysteme c-BN auf Silizium bzw. auf mit TiN beschichtetem Hartmetall.