Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 5: Harte Schichten I

DS 5.2: Fachvortrag

Montag, 22. März 1999, 17:00–17:15, PC 7

In-situ Kontrolle der ionenstrahlgestützten BN-Dünnschichtabscheidung mittels VIS Ellipsometrie — •Jan-David Hecht¹, Eva Franke¹, Horst Neumann¹ und Mathias Schubert² — ¹Institut für Oberflächenmodifizierung e.V., Permoserstraße 15, D-04303 Leipzig — ²Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Halbleiterphysik, Universität Leipzig, Linnestraße 5, D-04103 Leipzig

Wir verwenden in-situ Ellipsometrie im sichtbaren Spektralbereich zur Kontrolle des BN-Dünnschichtwachstums auf Siliziumsubstraten mittels Dual Ion Beam Deposition. Wir bestimmen Wachstumsraten, Schichtdicken und optische Eigenschaften der BN-Dünnschichten als Funktion der Substrattemperatur. Die Analyse der optischen in-situ Daten im Modell der virtuellen Grenzflächen deutet die Entstehung komplexer Nukleationsschichten an. Die ellipsometrisch bestimmten Schichtdicken befinden sich in Übereinstimmung mit TEM-Untersuchungen. Wir beobachten eine deutliche Korrelation der Wachstumsraten und Gesamtschichtdicken mit der Substrattemperatur.