Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 7: Charakterisierungsverfahren I

DS 7.1: Hauptvortrag

Montag, 22. März 1999, 09:30–10:15, H 55

Wachstumsuntersuchungen an heteroepitaktischen dünnen Filmen mittels Röntgenbeugung — •E. Weschke¹, C. Schüßler-Langeheine¹, R. Meier¹, G. Kaindl¹, C. Sutter² und G. Grübel² — ¹Institut für Experimentalphysik, Freie Universität Berlin, Arnimallee 14, D-14195 Berlin-Dahlem, Germany — ²European Synchrotron Radiation Facility, BP. 220, 38043 Grenoble Cédex, France

Bei lagenweisem Wachstum dünner Filme werden Oszillationen in der Reflektivität beobachtet. Während Untersuchungen solcher Wachstumsoszillationen traditionell mit hochenergetischen Elektronen unter streifendem Einfall (RHEED) durchgeführt werden, finden in zunehmendem Maße auch Röntgenstrahlen Verwendung.

Solche Experimente, die mit an Synchrotronstrahlungsquellen verfügbaren hohen Photonenflüssen möglich geworden sind, wurden bisher vor allem an homoepitaktischen Systemen durchgeführt. Heteroepitaktische Systeme zeigen generell zwei Besonderheiten, die hier vorgestellt werden sollen. Zum einen ist die Periode der Wachstumsoszillationen in spekularer Geometrie abhängig von der Länge des Streuvektors. Zum anderen treten zu Beginn des Filmwachstums Unregelmäßigkeiten in den Phasen und Amplituden der Oszillationen auf, die ihre Ursache in Lagenrelaxationen an der Grenzfläche zum Substrat haben [1].

Anhand des Wachstums dünner Lanthanidmetallfilme auf W(110) werden die Möglichkeiten diskutiert, aus den Details der Wachstumsoszillationen im Rahmen eines kinematischen Modells Informationen über Lagenrelaxation und Wachstumsdynamik an der Grenzfläche zu erhalten.

[1] E. Weschke et al., Phys. Rev. Lett. 79, 3954 (1997).