Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 7: Charakterisierungsverfahren I

DS 7.2: Hauptvortrag

Montag, 22. März 1999, 10:15–11:00, H 55

Anwendung optischer Spektroskopiemethoden während des
Wachstums von Halbleiterschichten — •D.R.T. Zahn — Institut für Physik, Technische Universität, D-09107 Chemnitz

Optische Spektroskopiemethoden sind in den vergangenen Jahren derart weiterentwickelt worden, daß sie nunmehr immer häufiger zur Charakterisierung während des Wachstums von ultradünnen Halbleiterschichten bzw. zur Wachstumskontrolle eingesetzt werden. Der Hauptvorteil liegt natürlich darin, daß sie nicht wie auf Elektronen basierende Methoden, z.B. Reflection High Energy Electron Diffraction (RHHED) auf Ultrahochvakuum angewiesen sind. Sie können daher sowohl in der Molekularstrahlepitaxie (MBE) als auch in der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) verwendet werden. Anhand von Beispielen der Reflexionsanisotropie-Spektroskopie (RAS), der Raman- und der Photolumineszenzspektroskopie wird deren Nützlichkeit zur Bestimmung von Schichtdicken, Komposition, Wachstumstemperatur, Dotierungs- und Verspannungseffekten aufgezeigt.