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DS: Dünne Schichten

DS 8: Sonstiges

DS 8.3: Fachvortrag

Montag, 22. März 1999, 11:45–12:00, H 55

Schichtleitfähigkeit von ultradünnem amorphen und kristallinen IrSi — •Holger Grünleitner, Kurt Semmelroth und Maximilian Schulz — Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg

Ultradünne (1-20nm) Filme von IrSi wurden durch Aufdampfen von metallischem Ir auf heiße (400^∘C) Si-Substrate und nachfolgender Temperung (500^∘C) hergestellt. Die Zusammensetzung und die Schichtdicken wurden mit Rutherford-Rückstreuung kontrolliert. Bei Schichtdicken bis ca. 6nm entsteht eine zusammenhängende amorphe, bei größeren Schichtdicken eine polykristalline Silizidphase. Die elektrische Leitfähigkeit der Schichten wurde mit einer 4-Sondenmethode im Temperaturbereich 20-300K untersucht. Der spezifische Widerstand für polykristalline Filme liegt vergleichbar mit anderen Silizidfilmen im Bereich unter 1000µΩcm. Bei Übergang in die amorphe Phase steigt der Widerstand sprunghaft um 1-2 Größenordnungen an.