Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
DS: Dünne Schichten
DS 9: Charakterisierungsverfahren II
DS 9.2: Fachvortrag
Montag, 22. März 1999, 14:15–14:30, H 55
Optische real-time-, in-situ-Diagnostik bei der Dünnschichtabscheidung — •Wolfgang Fukarek — Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, FZ-Rossendorf, Postfach 510119, 01314 Dresden
Optische Methoden haben gegenüber der Mehrzahl anderer analytischer Verfahren einige wesentliche Vorteile: Sie sind an Proben unter Vakuum, in Gasen bei beliebigem Druck sowie in Flüssigkeiten anwendbar, sie sind zerstörungsfrei und gestatten Messungen mit hoher zeitlicher Auflösung. Unter günstigen Voraussetzungen kann mit Ellipsometrie und Reflektometrie Monolagen-Empfindlichkeit erreicht werden. Nach einer kurzen Einführung in die Reflektometrie und Ellipsometrie werden Beispiele für ihre in-situ Anwendung gezeigt. Bei der Diagnostik an CVD- und PVD-Prozessen liefert die Ellipsometrie wesentliche Detail-Informationen, die mit anderen Verfahren nicht zugänglich sind. So erlaubt die real-time Information aus in-situ ellipsometrischen Messungen eine signifikant zuverlässigere Analyse auch bei instabilen Prozessen. Die Methode des dynamischen Parameterscans kann sehr effizient zur Ermittlung von Parameter-Abhängigkeiten in Prozessen mit einer Vielzahl von Variablen wie Substrattemperatur, Bias-Spannung, Gaszusammensetzung oder in das Plasma eingespeiste Leistung, angewandt werden. Hierfür werden einige Beispiele aufgezeigt.