Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DY: Dynamik und Statistische Physik

DY 35: Wachstumsprozesse

DY 35.1: Hauptvortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 14:30–15:00, R1

Wachstum und Charakterisierung nanostrukturierter Materialien — •Johann Peisl — Ludwig-Maximilians-Universität München, Lehrstuhl für Physik, Geschwister-Scholl-Platz 1, 80539 München

Das Wachstum von Schichtfolgen im Dickenbereich von Nanometern ist weit verbreitete Grundlage bei der Herstellung von modernen Materialstrukturen. Eine quantitative Beschreibung des Wachstums, der entstehenden Schichtstrukturen und deren Grenzflächen sowie ihre detaillierte experimentelle Charakterisierung sind Gegenstand aktueller Forschung.

Die systematische Untersuchung von verschiedenen Schichtstrukturen mit neuartigen Synchrotron-Röntgenstrahlungsstreumethoden liefert Aussagen über Schichtdicken, Grenzflächenrauhigkeit, Korrelationen in und zwischen den Grenzflächen, Verspannungszustand und neu entstehende Strukturen.

Die untersuchten Systeme sind amorphe Schichten, polykristalline Schichten, epitaktische Heteroschichten im relaxierten und unrelaxierten Zustand, sowie unterschiedlich verspannte Heterostrukturen, die selbstorganisiertes Inselwachstum zeigen.

Soweit es der gegenwärtige Erkenntnisstand erlaubt, werden Wachstumsmodelle getestet und relevante Wachstumsparameter angegeben.