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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Amorphe Halbleiter

HL 10.2: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 17:45–18:00, H3

Rauschuntersuchungen an amorphem hydrogenisiertem Silizium — •S. T. B. Goennenwein, M. S. Brandt und M. Stutzmann — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, 85748 Garching

Konventionelle elektrische Rauschexperimente untersuchen makroskopische Meßgrößen wie Strom oder Spannung. Die mikroskopische Natur der Rauschquellen ist im allgemeinen experimentell nicht direkt zugänglich. Elektronenspinresonanz kann derlei detaillierte Informationen liefern. Versucht man - in Analogie zu elektrisch oder optisch detektierter magnetischer Resonanz - Defekte über eine spinabhängige Analyse der Rauschleistung zu detektieren, kann man Hinweise auf die rauscherzeugenden mikroskopischen Prozesse erhalten. Als Beispielsystem dienen Cr-n⁺-i-n⁺-Cr Sandwich-Strukturen aus amorphem Silizium. Die in konventionellen Rauschuntersuchungen gefundene Temperatur- und Frequenzabhängigkeit der Rauschleistung an diesen Proben stimmt sehr gut mit den Ergebnissen von Verleg [1] überein. Somit kann unter bestimmten experimentellen Bedingungen Generations-Rekombinations-Rauschen als dominanter Rauschprozeß beobachtet werden. Erste rauschdetektierte Spinresonanzmessungen an diesem System werden vorgestellt. Die statistische Natur der Detektionsgröße (Rauschen) reduziert dabei die Empfindlichkeit im Vergleich zu konventioneller elektrisch detektierter magnetischer Resonanz.

[1] P. Verleg, Noise Spectroscopy of Hydrogenated Amorphous Silicon, PhD Thesis, Utrecht (1997)