Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Quantenpunkte und Quantendr
ähte I

HL 11.12: Talk

Monday, March 22, 1999, 18:45–19:00, H4

Elektrisch detektierte Ladungsspeicherung in optisch angeregten selbstorganisierten InAs-Quantenpunkten — •D. Heinrich, J. J. Finley, M. Skalitz, M. Arzberger, A. Zrenner, G. Böhm und G. Abstreiter — Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, 85748 Garching

Selbstorganisierte InAs-Quantumdots (QDs) weisen in Photolumineszenzmessungen eine inhomogen verbreiterte Emission auf, die auf natürliche Größenfluktuationen der QDs zurückzuführen ist. Bei selektiver Anregung einzelner QDs mit monochromatischem Licht erfolgt in den hier vorgestellten Schichtstrukturen eine wellenlängensensitive optische Ladunsspeicherung. Dieser Speichereffekt wird über eine Widerstandsänderung in einem 2D Kanal nachgewiesen. In Verbindung mit hoher spektraler Auflösung stellt dies eine neue Technik zur Untersuchung des Absorptionsspektrums der QDs dar. Die spektrale Abhängigkeit des Speichereffekts zeigt resonante Strukturen, die sowohl auf elektronische wie auch auf phononassistierte Übergänge hindeuten. Zur Charakterisierung der Bauelementeigenschaften wurde das Zeitverhalten des Schreib-Lesezyklus bestimmt. Strukturen basierend auf Elektronen- und Löcherspeicherung werden verglichen, Möglichkeiten zum optischen Auslesen werden diskutiert.