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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Quantenpunkte und Quantendr
ähte I

HL 11.2: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 16:15–16:30, H4

Querschnitts-STM an InAs-Quantenpunkten — •O. Flebbe, H. Eisele, T. Kalka, F. Heinrichsdorff und M. Dähne-Prietsch — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstraße 36, D-10623 Berlin, Germany

Bisher wurde die Struktur von Quantenpunkten meist mit TEM untersucht, ohne die einzelnen Atome abbilden zu können. STM an Querschnittsflächen (XSTM) ermöglicht dagegen, die atomare Struktur von durch Spaltung erzeugten [110]-Schnittebenen durch Quantenpunkte zu bestimmen. Wir stellen XSTM-Untersuchungen an drei- und fünffachgestapelte InAs-Quantenpunkten in einer GaAs-Matrix vor, die mit Metallorganischer chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD) hergestellt wurden und bereits Laseraktivität bei Raumtemperatur gezeigt haben. Mit Hilfe der XSTM-Bilder konnten Form, Homogenität, Versetzungsfreiheit und Größenverteilung der Quantenpunkte innerhalb der Stapel bestimmt werden. Zudem ist es gelungen, die zweidimensionale Benetzungsschicht abzubilden. Schließlich wird eine durch die Verspannung induzierte Relaxation der InAs-Punkte aus der Querschnittsfläche heraus beobachtet. Eine numerische Simulation dieser Relaxation stimmt gut mit den gemessenen Korrugationen überein. Diese Arbeit wird gefördert von der DFG, Sfb 296, TP A04.