Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 11: Quantenpunkte und Quantendr
ähte I

HL 11.3: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 16:30–16:45, H4

Hochauflösende Röntgenbeugung an II-VI-Quantenstrukturen auf gestuften Substraten — •T. Passow, D. Kayser, K. Leonardi, H. Heinke und D. Hommel — Institut für Festkörperphysik - Bereich Halbleiterepitaxie - Kufsteiner Str. NW1, 28359 Bremen

Die hochauflösende Röntgenbeugung wurde benutzt, um CdSe-Submonolagen in ZnSe auf gestuftem GaAs-Substrat in Hinblick auf selbstorganisiertes Wachstum von Quantendrähten zu untersuchen. Es wurden Substrate mit einer Fehlorientierung von 0^∘, 2^∘, 4^∘ und 10^∘ verwendet. Die Submonolagen wurden mit der sogenannten Migration Enhanced Epitaxy (MEE) hergestellt. Die Cd-Menge in den Submonolagen und die Dicke der ZnSe-Schichten wurden durch Vergleich von gemessenen und theoretischen (004)-Beugungsprofilen ermittelt, wobei eine sehr gute Übereinstimmung der simulierten Kurven mit den gemessenen erzielt werden konnte. Mit wachsender Stufendichte nimmt die Wachstumsrate des ZnSe wie erwartet zu, die des CdSe jedoch ab. Diese Abnahme ist unabhängig von der Anzahl der Cd-MEE-Zyklen. Dieses Ergebnis läßt es zweifelhaft erscheinen, dass sich das Cd bevorzugt an den Stufen anlagert. Dennoch haben Photolumineszenz- und RHEED-Untersuchungen Hinweise für die Bildung von Quantendrähten auf Substraten mit einer Fehlorientierung von 10^∘ geliefert, die jedoch mit der Röntgenbeugung bisher nicht nachgewiesen werden konnten.