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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Quantenpunkte und Quantendr
ähte I

HL 11.4: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 16:45–17:00, H4

Zeitaufgelöste Kapazitätsspektroskopie an InAs-Quantenpunkten — •C.M.A. Kapteyn, F. Heinrichsdorff, O. Stier, R. Heitz, M. Grundmann und D. Bimberg — Institut für Festkörperphysik, TU-Berlin, Sekr. PN 5-2, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Die elektronischen Eigenschaften selbstorganisierter Quantenpunkte sind von außerordentlichem Interesse für Anwendungen in der Optoelektronik und Elektronik. Neben den verfügbaren Energieniveaus spielt insbesondere die mittlere Zeit, die ein Ladungsträger im Potential des Quantenpunktes verweilt, eine wichtige Rolle.

Mit Hilfe von Techniken, die aus der Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) bekannt sind, wurde erstmals die Ladungsträgeremission an InAs-Quantenpunkten in GaAs untersucht. Es wurden dabei zwei verschiedene Emissionsmechanismen beobachtet: Thermische Aktivierung und Tunnelemission; letztere dominiert bei tiefen Temperaturen.

Der Vergleich unserer experimentellen Ergebnisse mit numerischen Simulationen der elektronischen Zustände mit Hilfe von 8-Band-k·p-Theorie unter Berücksichtigung von Verspannung legt nahe, daß die thermische Aktivierung angeregte Quantenpunktzustände involviert.