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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Quantenpunkte und Quantendr
ähte I

HL 11.6: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 17:15–17:30, H4

Cleaved edge overgrowth: Elektronische Zustände in verspannten Quantenfäden und -punkten — •M. Grundmann, O. Stier und D. Bimberg — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin

Die Nutzung verspannter Schichten bei

der Herstellung von Quantendrähten und -punkten mit

cleaved edge overgrowth (CEO) hat zum Ziel,

Quantisierungseffekte zu vergrößern.

Wir untersuchen theoretisch echte T-förmige GaAs/InGaAs

CEO Quantenfäden [1]

und solche (AlGaAs/InAlAs/GaAs), in denen eine der dünnen Schichten nur als

Stressor dient. Auch andere Lokalisierungsmechanismen

durch Abweichungen von einer idealen Geometrie der Quantentöpfe

werden diskutiert.

Die numerischen Rechungen wurden mit Kontinuumsmechanik für die

Verspannung und 8-Band-k·p-Theorie für die

elektronischen Zustände durchgeführt.

Am Schnittpunkt der verschiedenen aktiven Schichten

findet zwar eine Relaxation der Verspannungsenergie statt, die

Veränderung der einzelnen Verspannungskomponenten ist aber

kompliziert und anisotrop. Die Näherung, für die

Verspannungsverteilung zweimal pseudomorphes

Wachstum anzunehmen, stellt sich als ungeeignet heraus.

Generell finden wir, daß zusätzliche Lokalisierungseffekte

klein sind.

[1] M. Grundmann et al., Phys. Rev. B 58, 10557 (1998)