Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z
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14:00 | HL 12.1 | TEM-Untersuchungen zur Morphologie und zur Nukleation von Makroporen auf (100) p-Si — •M. Christophersen, C. Jäger, J. Carstensen und W. Jäger |
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14:00 | HL 12.2 | Dotierung von MWPCVD-Diamantschichten mit Lithium-t-butoxid als Dotierquelle — •H. Sternschulte, M. Schreck und B. Stritzker |
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14:00 | HL 12.3 | Elektronen-Energieverlustspektroskopie in Transmission an undotierten und dotierten Diamantschichten — •S. Waidmann, K. Bartsch, F. Fontaine, B. Arnold, M. Knupfer, A. Leonhardt und J. Fink |
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14:00 | HL 12.4 | Diamanttechnologie:Ätzraten bei implantierten und getemperten Diamanten — •Gabriele Kosaca, Andrej Denisenko, Frank Blum, Reinhart Job und Wolfgang R. Fahrner |
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14:00 | HL 12.5 | AFM-Untersuchungen an epitaktischen Bi2Se3- und Bi2Te3-Schichten auf BaF2(111) — •Harald Beyer, Stefan Müller, Joachim Nurnus, Armin Lambrecht und Harald Böttner |
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14:00 | HL 12.6 | Untersuchungen an mittels Hot-Wire CVD Verfahren hergestellten Sola= r-Siliciumschichten — •M. Ramadori, V. Schlosser, A. Breymesser, M. Stöger, P. Schattschneider, D. Peiro, C. Voz, J. Bertomeu, J. Andreu und B. Jouffrey |
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14:00 | HL 12.7 |
Druckabhängigkeit des off-resonance Raman-Spektrums erster Ordnung von Halbleitern — •B. Steininger, G. Deinzer, M. Schmitt, P. Pavone und D. Strauch |
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14:00 | HL 12.8 | A Light Scattering Study of Crystallisation of Amorphous Si Induced by Au during Annealing — •Qing Huang, Stephan Pietzonka, and Rainer G. Ulbrich |
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14:00 | HL 12.9 | Struktur und Dynamik der mit Antimon bedeckten (110)-Oberfläche von III-V-Halbleitern – eine ab initio Studie — •M. Arnold, J. Fritsch, P. Pavone und U. Schröder |
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14:00 | HL 12.10 | Ab-initio-Berechnung der strukturellen und dynamischen Eigenschaften von Schichtkristallen — •C. Adler, P. Pavone und U. Schröder |
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14:00 | HL 12.11 | Rauhigkeitsanalyse vom nm bis in den mm-Bereich — •M. Langer, G. Schnasse und M. Henzler |
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14:00 | HL 12.12 | Der Einflu"s von Arsen auf die Grenzfl"ache Sn/InP(001) — •R.K. Gebhardt, S. Sloboshanin, and T. Chassé |
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14:00 | HL 12.13 | Infrared characterisation of Si surfaces and bonded Si wafers — •A. Milekhin, M. Friedrich, K. Hiller, M. Wiemer, T. Ge"sner, and D.R.T. Zahn |
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14:00 | HL 12.14 | Total Current Spectroscopy study of PTCDA films — •A. Morozov, T.U. Kampen, and D.R.T. Zahn |
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14:00 | HL 12.15 | Rücksprungexperimente und Oszillationen am Si-Flußsäure-Kontakt — •G. Hasse, J. Carstensen, G. Popkirov und H. Föll |
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14:00 | HL 12.16 | Ramanstreuung an Sb-Monolagen auf Si(001) und GaAs(110) — •K. Hinrichs, J.R. Power, N. Esser und W. Richter |
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14:00 | HL 12.17 | Elektrochemische und chemische Passivierung von Kratzern auf Si-Solarzellen — •M. Hejjo AlRifai |
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14:00 | HL 12.18 | Naßchemische Konditionierung der Silizium-Oberfläche: Präparation und spektral-ellipsometrische Charakterisierung — •W. Henrion, M. Rebien und H. Angermann |
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14:00 | HL 12.19 | Atomare Struktur der P-terminierten InP(001) Oberfläche — •P. Vogt, A. Frisch, T. Hannappel, S. Visbeck, K. Knorr, N. Esser und W. Richter |
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14:00 | HL 12.20 | Phasenrelaxation von lokalisierten Zuständen in CdSe–Quantenpunkten und CdSSe–Mischkristallen — •M. Schmidt, H. Spöcker, C. Klingshirn, M. Portuné und U. Woggon |
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14:00 | HL 12.21 | Magneto-optische Spektroskopie an quasi-2D- und 0D- (ZnCdMn)Se / ZnSe Nanostrukturen — •Horst Falk, Peter J. Klar, Wolfram Heimbrodt und Torsten Henning |
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14:00 | HL 12.22 | Bestimmung des phononischen Deformationspotentiales in kubischem CdS mittels Infrarotspektroskopie an verspannten CdS-ZnSe-Übergittern — •R. Becker, V.M. Burlakov, M. Göppert, A. Dinger, S. Petillion, M. Grün und C.F. Klingshirn |
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14:00 | HL 12.23 | Bandstruktur von ZnSe unter dem Einfluss von Druck und Magnetfeld — •M. Steube und K. Reimann |
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14:00 | HL 12.24 | Struktur und Zusammensetzung von CdSe/ZnSe-Quantenpunkten — •D. Litvinov, A. Rosenauer und D. Gerthsen |
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14:00 | HL 12.25 | Untersuchungen zur Degradation von grünen ZnSe-Lasern — •Peter Grabs, Hans-Jürgen Lugauer, Markus Keim, Lars Han-sen, David Albert, Andreas Waag und Gottfried Landwehr |
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14:00 | HL 12.26 | Solar Blind UV-Photodetektoren mit Cutoff-Wellenlängen von 450 nm — •Johannes Sieß, Peter Grabs, Hans-Jürgen Lugauer, Andreas Waag und Gottfried Landwehr |
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14:00 | HL 12.27 | Wachstum ultradünner CdS/ZnS Schichten in der MOVPE — •C. Meyne, V. Tuerck, U.W. Pohl, D. Bimberg und W. Richter |
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14:00 | HL 12.28 | Wechselwirkung und Dephasierung von Exzitonen in II-IV-Nanostrukturen — •H.P. Wagner, H.-P. Tranitz, H. Preis, G. Bacher, A. Forchel und W. Langbein |
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14:00 | HL 12.29 | Bestimmung elektronischer Eigenschaften von Devices mittels Elektroreflexion — •T. Füller, M. Feige, S. Gundel, M. Ehinger, W. Faschinger, V. Wagner, J. Geurts und G. Landwehr |
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14:00 | HL 12.30 |
Photoemissionsuntersuchungen an heteroepitaktischen HgTe(Se) und CdTe(Se)(001) Schichten — •D. Eich, K. Ortner, U. Groh, D. Hübner, M. Gräbner, C.R. Becker, R. Fink, G. Landwehr und E. Umbach |
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14:00 | HL 12.31 | Untersuchung des Einflusses lateraler Strukturierung auf freie und gebundene exzitonische Zustände in III-V Halbleiterheterostrukturen — •Robin Fehse, Thorsten Hartmann, Peter J. Klar, Wolfram Heimbrodt, Sabine Leu, Siegfried Nau, Wolfgang Stolz, Michael Oestreich, Wolfgang W. Rühle und Torsten Henning |
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14:00 | HL 12.32 | Photomodulierte Reflexion an (Ga,In)(N,As)/GaAs Quantenschichtstrukturen — •Heiko Grüning, Peter J. Klar, Wolfram Heimbrodt, Falko Höhnsdorf, Jörg Koch und Wolfgang Stolz |
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14:00 | HL 12.33 | Cross-polarized reflectance difference spectroscopy on CuPt ordered AlxGa1−xInP — •Tino Hofmann, Mathias Schubert, Bernd Rheinländer, Ines Pietzonka, and Volker Gottschalch |
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14:00 | HL 12.34 | Photolumineszenzmessungen an III-V-Halbleitern mit hoher Orts- und Zeitauflösung — •Matthias Wellhöfer, Thomas Held, Wolfram Ibach, Olaf Hollricher und Othmar Marti |
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14:00 | HL 12.35 | Diffusion von Stickstoff aus einer vergrabenen Schicht in intrinsisches und hochdotiertes GaAs — •G. Bösker, N. A. Stolwijk, J. V. Thordson, U. Södervall, G. Swenson, T. G. Andersson, C. Jäger und W. Jäger |
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14:00 | HL 12.36 | Diffusion der Halogene Brom und Jod in III-V Halbleitern — •M. Risse, K. Lorenz, R. Vianden, A. Kling, J.C. Soares, A. Byrne, P.N.K. Deenapanray, C. Glover, S. Matics, P. Scharwaechter und K. Freitag |
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14:00 | HL 12.37 | Halleffekt-Untersuchungen des 71As → 71Ge → 71Ga -Übergangs in GaAs — •C. von Nathusius, R. Vianden und Isolde-Kollaboration |
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14:00 | HL 12.38 | Diskstrukturen für unipolare GaAs/AlGaAs Quantenkaskadenemitter im mittleren Infrarot. — •Stefan Gianordoli, Lubos Hvozdara, Gottfried Strasser, Karl Unterrainer, Thomas Maier und Erich Gornik |
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14:00 | HL 12.39 | Photolumineszenzuntersuchungen an kubischem GaN:Mg — •Torsten Lüttgert, U. v. Gfug, M. Straßburg, A. Hoffmann, D. J. As und T. Simonsmeier |
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14:00 | HL 12.40 | Optisches Modenspektrum in photonischen Molekülen und Kristallen — •G. Guttroff, M. Bayer, A. Forchel, T.L. Reinecke und P.A. Knipp |
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14:00 | HL 12.41 | Herstellung und Untersuchung von (GaIn)(NAs)/GaAs-Potentialtopfstrukturen — •Jörg Koch, Michael Lampalzer, Falko Höhnsdorf und Wolfgang Stolz |
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14:00 | HL 12.42 | MCDA-EPR-Untersuchungen an vom Substrat abgelösten, MBE-gewachsenen GaAs-Schichten — •Igor Tkach |
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14:00 | HL 12.43 | Untersuchungen zur Zink-Diffusion in Galliumphosphid — •J. Pöpping, N. A. Stolwijk, G. Bösker, C. Jäger, W. Jäger, U. Södervall und H. Mehrer |
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14:00 | HL 12.44 | Femtosekunden-Interferometrie der Sekundäremmission von GaAs-Quantenfilmen — •Birger Seifert, Christoph Nacke, Matthias Seemann, Frank Kieseling und Heinrich Stolz |
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14:00 | HL 12.45 | Dynamik von Quantum-Cascade-Lasern und der Einfluß von Phononen — •Dietmar Preißer und Ortwin Hess |
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14:00 | HL 12.46 | Hochfrequenzuntersuchungen an komplex gekoppelten DFB Lasern mit kleiner Linienbreite im Materialsystem InGaAs(P)/InP — •M. Mulot, R. Schreiner, W. Coenning, J.L. Gentner, J. Porsche, M. Berroth, F. Scholz und H. Schweizer |
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14:00 | HL 12.47 | Linienbreiten der Normalmoden in Halbleiter – Mikroresonatoren — •D. Karaiskaj, C. Ellmers, M. Hofmann, T. Maxisch, F. Jahnke, H.-J. Kolbe, G. Weiser, R. Rettig, S. Leu, W. Stolz, S.W. Koch und W.W. Rühle |
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14:00 | HL 12.48 | Herstellung und Charakterisierung von MBE gewachsenen InAs HEMT-Strukturen auf GaAs(001) Substraten — •A. Richter, S. Günther, T. Matsuyama, R. Anton, C. Heyn, W. Hansen und U. Merkt |
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14:00 | HL 12.49 | Herstellung und Charakterisierung von MBE gewachsenen InAs HEMT-Strukturen auf GaAs(001) Substraten — •A. Richter, S. Günther, T. Matsuyama, R. Anton, W. Hansen und U. Merkt |
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14:00 | HL 12.50 | Temperaturabhängige Lumineszenz in stark ungeordneten Quantenfilmen — •S.D. Baranovski, R. Eichmann und P. Thomas |
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14:00 | HL 12.51 | Untersuchung von modulationsdotierten CdS-ZnSe-Mehrfach-quantentrogstrukturen mit hohen Intersubbandübergangsenergien — •M. Göppert, R. Becker, I. Galbraith, S. Petillion, A. Dinger, M. Hetterich, M. Grün und C.F. Klingshirn |
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14:00 | HL 12.52 | Optisch angeregte und optisch detektierte NMR an GaAs Quantentrögen — •Marcus Eickhoff, Gregory Patrick Flinn und Dieter Suter |
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14:00 | HL 12.53 | MBE-Wachstum von Halbleiterheterostrukturen mit hochbeweglichen Elektronen — •D. Reuter, I. Kamphausen und A.D. Wieck |
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14:00 | HL 12.54 | Raman- und PL-Untersuchungen an kubischen CdS/ZnSe Quantenfilmstrukturen — •A. Dinger, S. Petillon, M. Grün, M. Göppert, M. Hetterich, C. Klingshirn, J. Liang, B. Weise, V. Wagner und J. Geurts |
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14:00 | HL 12.55 | Elektronische Struktur von GaN / Al1−xYxN (Y = Ga, In) Übergitterstrukturen mit mittlerer bis großer Periodenlänge — • G.C. Rohr und O. Hess |
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14:00 | HL 12.56 | Photostromuntersuchungen an InAs-Monolagen im GaAs — •H. Schmidt, R. Pickenhain und V. Gottschalch |
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14:00 | HL 12.57 | Heteroepitaxie von Halbleitern auf passiviertem Silizium — •Hatto Schick, Lars Hansen, Andreas Waag und Gottfried Landwehr |
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14:00 | HL 12.58 | Resonantes Tunneln und Bistabilität in vertikalen Doppelbarrierenstrukturen — •J. Könemann, P. König, R.J. Haug, T. Schmidt, A. Förster und H. Lüth |
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14:00 | HL 12.59 | Herstellung und Charakterisierung von MBE-gewachsenen MIS-Heterostrukturen mit epitaktischen Feldeffektelektroden — •H.-J. Klammer, D. Schmerek, I. Lohse, C. Heyn und W. Hansen |
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14:00 | HL 12.60 | In-situ Ätzen und MBE Überwachsen zur Herstellung von GaAs-AlGaAs Quantendrähten — •C. Klein, S. Kramp, J. Lohse, Ch. Heyn, W. Hansen und D. Heitmann |
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14:00 | HL 12.61 | Selbstgenerierte Oszillationen in Halbleiterübergittern — •Haiko Steuer, Andreas Wacker und Eckehard Schöll |
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14:00 | HL 12.62 | Untersuchungen zur Abhängigkeit der effektiven Elektronenmasse in n-InGaAs/InP Quantenschichten von Ladungsträgerkonzentration und Temperatur — •F. Hitzel, D. Schneider, P. Boensch und A. Schlachetzki |
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14:00 | HL 12.63 | Subbandenergien eines zweidimensionalen Elektronengases (2DEG) einer n-GaAs/AlGaAs-Heterostruktur durch Messung des PPC-Effekts (Persistent-Photoconductivity) — •D. Lembke, D. Schneider, and O. P. Hansen |
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14:00 | HL 12.64 | Abhängigkeit der effektiven Zyklotronmasse eines zweidimensionalen Elektronengases (2DEG) einer n-GaAs/AlGaAs-Hetero-struktur von der Stärke und Richtung eines äußeren Magnetfeldes — •T. Klaffs, D. Schneider, K. Pierz und F.-J. Ahlers |
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14:00 | HL 12.65 | Änderung der Elektronendichte in einem 2D-Elektronengas durch Anlegen einer Spannung: Nachweis mit inelastischer Lichtstreuung — •M. Danckwerts, A.R. Goñi, K. Eberl und C. Thomsen |
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14:00 | HL 12.66 | Direkte ESR an zweidimensionalen Elektronengasen in den Systemen SiGe/Si und InAlAs/InGaAs — •C. Weinzierl, N. Nestle und G. Denninger |
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14:00 | HL 12.67 | Magneto-Oszillationen und Spin-Bahn-Wechselwirkung — •R. Winkler |
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14:00 | HL 12.68 | Winkelabhängige Transportmessungen an InGaAs doppel- quantum-well Strukturen — •H. Frey, H.S. Fresser, F.E. Prins, D.A. Wharam, D.P. Kern, J. Böttcher und H. Künzel |
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14:00 | HL 12.69 | Energiespektrum von Halbleiter-Übergitterstrukturen in elektrischen und magnetischen Feldern — •H. Kümmel, R. Till und A. Philipp |
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14:00 | HL 12.70 | Strukturelle Charakterisierung von Heterostrukturgrenzflächen mit Cross-Sectional STM — •T.C.G. Reusch, M. Wenderoth, K.J. Engel, K. Sauthoff, R.G. Ulbrich, R. Winterhoff, F. Scholz, G. Schedelbeck und W. Wegscheider |
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14:00 | HL 12.71 |
Spinaustausch zwischen Quantentopf und Donatorschicht in Si/Si1−xCx — •H.-J. Kümmerer, C. Weinzierl, N. Nestle und G. Denninger |
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14:00 | HL 12.72 | Untersuchung von phosphordotiertem Silizium mit Elektronspin-Kernspin-Doppelresonanz — •U. Fasol und E. Dormann |
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14:00 | HL 12.73 | Das dreidimensionale Anderson-Modell der Lokalisierung mit nichtdiagonaler Unordnung — •P. Cain, R. A. Römer und M. Schreiber |
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14:00 | HL 12.74 | Metall-Isolator-Übergang im Anderson-Modell der Lokalisierung mit anisotropen Hüpfmatrixelementen — •F. Milde, R. A. Römer und M. Schreiber |
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14:00 | HL 12.75 | Metall-Isolator Übergang im System Si:P: Elektron-Kern Doppelresonanz am Phosphor — •M. Vidal und G. Denninger |
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14:00 | HL 12.76 | Elektronische Transporteigenschaften von amorphen und polykristallinen Bi-Sb-Legierungsschichten — •J. Barzola-Quiquia, C. Lauinger und P. Häussler |
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14:00 | HL 12.77 | Charakterisierung und Modifikation von thermisch aufgedampften SiOx-Dünnschichten auf Si Substraten — •U. Kahler und H. Hofmeister |
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14:00 | HL 12.78 | Zwei-Photonen-Spektroskopie an SnO2 unter hydrostatischem Druck — •C. Schweitzer, M. Steube und K. Reimann |
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14:00 | HL 12.79 | Elektronische und optische Eigenschaften von geschmolzenem Silizium – Berechnung ohne Molekulardynamik — •M.S.K. Fuchs |
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14:00 | HL 12.80 | Theorie exzitonischer Auswahlregeln für die nahfeldoptische Anregung von Halbleiternanostrukturen — •A. von der Heydt, A. Knorr, B. Hanewinkel und S.W. Koch |
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14:00 | HL 12.81 | Vierwellenmischsignale ungeordneter Halbleiter mit Berücksichtigung von Coulomb-Korrelationen — •S. Weiser, T. Meier, P. Thomas und S. W. Koch |
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14:00 | HL 12.82 | Optical properties of ZnSe/ZnMgSSe single quantum wells — •C. Rudamas, U. Neukirch, and J. Gutowski |
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14:00 | HL 12.83 | Polaronische Exzitonen in organischen Mischkristallen — •F.X. Bronold |
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14:00 | HL 12.84 | Spinabhängige Excitonenwechselwirkung von gekoppelten Quantentöpfen in elektrischen Feldern — •M. Jetter, G. Aichmayr, L. Viña, J. Fernandez-Rossier und E.E. Mendez |
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14:00 | HL 12.85 | Optical constants of nearly-disordered AlxGa1−xInP (0<x<1) — •Gunnar Leibiger, Mathias Schubert, Bernd Rheinländer, Ines Pietzonka, and Volker Gottschalch |
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14:00 | HL 12.86 | Berechnung lokalisierter Biexzitonzustände in Quantendrähten — •A. Esser, E. Runge und R. Zimmermann |
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14:00 | HL 12.87 | Optische Anisotropie von geordnetem Ga0.52In0.48P unter Hochanregung — •U. Dörr, J. Schuler und H. Kalt |
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14:00 | HL 12.88 | Selektive kohärente Spektroskopie – Eine neue Methode zur Untersuchung kohärenter Kopplung von Exziton–Niveaus — •E. Finger, A. Euteneuer, M. Hofmann, W. W. Rühle, W. Stolz, T. Meier, P. Thomas und S. W. Koch |
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14:00 | HL 12.89 | Nanokristalline oxidische Leuchtstoffe: Synthese und optische Eigenschaften — •A. Konrad, T. Fries, A. Gahn, F. Kummer, U. Herr, R. Tidecks und K. Samwer |
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14:00 | HL 12.90 | Neuartige Transducer-Strukturen für akusto-optische Experimente auf GaAs-Heterostrukturen — •F. Beil, M. Streibl und A. Wixforth |
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14:00 | HL 12.91 | Beeinflussung der optischen Eigenschaften von AlGaAs/GaAs - Quantentöpfen durch ionenstrahlunterstützte Diffusion — •Cedrik Meier, Soheyla Eshlaghi und Andreas D. Wieck |
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14:00 | HL 12.92 | Optical characterisation of PTCDA films grown on Si substrates — •G. Salvan, A.Yu. Kobitzky, M. Friedrich, M. Schumann, T.U. Kampen, and D.R.T. Zahn |
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14:00 | HL 12.93 | Bandstruktur und dielektrische Funktion von AgBr — •Marc Amkreutz, Uwe Gerstmann und Harald Overhof |
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14:00 | HL 12.94 | Absorption und Dispersion von ZnTe und CdTe im Ferninfrarot Bereich bestimmt mittels THz-Spektroskopie — •Markus Walther, Michael Schall und Hanspeter Helm |
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14:00 | HL 12.95 | Bestimmung optischer Konstanten von Silizium-Dünnschichtsystemen — •V. Plunger und V. Schlosser |
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14:00 | HL 12.96 | LA-Phononen assistierte Absorption in Cu2O — •L. Hanke, D. Fröhlich, J. Uhlenhut und H. Stolz |
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14:00 | HL 12.97 | Free-carrier screening of polarization fields in GaN/InGaN laser structures — •R. Scholz, J.-M. Jancu, F. Della Sala, A. Di Carlo, P. Lugli, F. Bernardini, and V. Fiorentini |
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14:00 | HL 12.98 | E-Feld Einflüsse in der Ramanspektroskopie an ZnSe: Franz-Keldysch Oszillation — •M. Weber, M. Becker, T. Füller, M. Korn, V. Wagner, J. Geurts und G. Landwehr |
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14:00 | HL 12.99 | Admittanzmessung zur Qualitätskontrolle von Dünnschichtsolarzellen — •D. Berkhahn, F. Engelhardt, Th. Meyer, J. Parisi und U. Rau |
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14:00 | HL 12.100 | Einfluß von Sauerstoff auf CuInSe2-Absorberschichten — •Ingo Österreicher, Oumar Ka, Ingo Dirnstorfer, Detlev M. Hofmann und Bruno K. Meyer |
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14:00 | HL 12.101 | Einfluß von Feuchtigkeit auf die elektrischen Eigenschaften von Cu(In,Ga)Se2-Solarzellen — •M. Schmidt, U. Rau, H.W. Schock und R. Schäffler |
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14:00 | HL 12.102 |
Photounterstütztes Wachstum von ZnSe auf GaAs und C(In,Ga)(S,Se)2 mit MOCVD. — •U. Fiedeler, T. Kampschulte, S. Siebentritt, J. Albert und M. Ch. Lux-Steiner |