Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.100: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Einfluß von Sauerstoff auf CuInSe₂-Absorberschichten — •Ingo Österreicher, Oumar Ka, Ingo Dirnstorfer, Detlev M. Hofmann und Bruno K. Meyer — I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen

Eine kontrollierte Dotierung von CuInSe₂ setzt die Kenntnis der vorliegenden Defekte und deren Umwandlungsprozesse voraus. Es konnte gezeigt werden, daß eine thermische Nachbehandlung von In-reichen CuInSe₂-Solarzellen-Absorberschichten einen starken Einfluß auf die optischen und elektrischen Eigenschaften des Materials hat. Hierbei spielt das Vorhandensein von Sauerstoff die entscheidende Rolle. Sauerstoff bewirkt eine Reduktion der hohen Donatorkonzentration, wodurch die elektronischen Störungen (Bandfluktuationen) in diesem Material erheblich reduziert werden. Der Einbau von Sauerstoff wird durch Photoemissionsspektroskopie (UPS, XPS)untersucht und mit den Ergebnissen aus Photolumineszenz- und Absorptions-Messungen korreliert. Zudem wird die Veränderung der Defekte in den Schichten durch Temper- und Diffusionsexperimente mit den Elementen Kupfer und Indium beobachtet.