Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
HL 12.102: Poster
Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z
Photounterstütztes Wachstum von ZnSe auf GaAs und
C(In,Ga)(S,Se)2 mit MOCVD. — •U. Fiedeler, T. Kampschulte, S. Siebentritt, J. Albert und M. Ch. Lux-Steiner — Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin
Ziel der Untersuchung von ZnSe ist die Herstellung von Cd freien
Pufferschichten in Chalkopyrit-Solarzellen.
Um die thermische Belastung der Solarzellen während der Prozessierung zu
reduzieren, wurde photounterstütztes Wachstum von ZnSe in einer MOCVD
Anlage
untersucht. Mit Hilfe einer Xe-Lampe konnte die Wachstumsrate bei einer
Temperatur von 280∘C auf GaAs und CIGSS bei gleichem
Materialeinsatz verdoppelt werden.
Nach der bisher verbreiteten Vorstellung wird die Wachstumsbeschleunigung
durch die im ZnSe photoelektrisch erzeugten Ladungsträger hervorgerufen.
Da
solche ZnSe-Filme als ca. 20 nm dicke Pufferschicht in CIGSS-Solarzellen
dienen sollen, steht die Frage des Einflusses der im Substrat erzeugten
Ladungsträger auf den Wachstumsprozess im Mittelpunkt.
Untersucht wird weiterhin, der Einfluß der Beleuchtungsstärke auf die
Wachstumsrate beim Angebot unterschiedlicher VI/II-Verhältnisses.
Letztlich werden CIGSS-Solarzellen unter unterschiedlichen
Prozessbedingungen
hergestellt und elektronisch (I/V, QE) charakterisiert.