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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.10: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Ab-initio-Berechnung der strukturellen und dynamischen Eigenschaften von Schichtkristallen — •C. Adler, P. Pavone und U. Schröder — Institut für Theoretische Physik, Universität Regensburg, D-93040 Regensburg

Mit Methoden der Dichtefunktionaltheorie wurden Struktur und Phononen-Dispersion für verschiedene Schichthalbleiter bzw. deren Oberflächen untersucht. Im einzelnen stellen wir aktuelle Ergebnisse für verschiedene Polytypen der III-VI-Halbleiter GaS, GaSe und InSe vor. Weiterhin wurde die Si(111) Oberfläche, terminiert mit einer halben Schicht GaSe bzw. InSe, untersucht. Man gewinnt damit einen Einblick in die Grenzflächeneigenschaften von Systemen, die mit der Methode der Van-der-Waals-Epitaxie hergestellt wurden. Die Ergebnisse werden überdies im Vergleich mit experimentellen Daten diskutiert.