Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.11: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Rauhigkeitsanalyse vom nm bis in den mm-Bereich — •M. Langer, G. Schnasse und M. Henzler — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstraße 2, 30167 Hannover

Mit Hilfe von Streulichtmessungen wird die statistische Information der rms-Rauhigkeit auf einer lateralen Skala von wenigen µ m analysiert. Durch die Detektionsmöglichkeit der Verkippung des spekular reflektierten Strahls bei senkrechtem Einfall auf die Probe (Neigungsmikroskopie) konnte nun der aufgenommene Korrelationslängenbereich zu langen Korrelationslängen bis in den mm-Bereich erweitert werden. Ein AFM/STM deckt hingegen den Bereich zu wesentlich kleineren Raumwellenlängen unter 10 µ m ab. Während bei der Streulichtmethode lediglich statistische Informationen zugänglich sind, erhält man mit der Neigungsmikroskopie nach Integration die Topographie der Oberfläche im mm-Bereich, die mit Hilfe der realraumabbildenden Methoden wie AFM und STM zwar direkt, aber nur bis zu einem Bereich bis etwa 10 µ m gewonnen werden kann.

Die untersuchten Proben zeigen für ortsaufgelöste Streulichtmethoden eine einzigartige Struktur, bei der die rms-Rauhigkeit im Abstand des Fokusdurchmessers variiert. Diese Variation im Streulicht- und Neigungsmikroskopsignal wurde bei verschieden hergestellten Silizium-Scheiben genauer untersucht und mit den Daten aus AFM und STM verglichen, so daß das Powerspektrum der Höheninformation vom nm- bis in den mm-Bereich angegeben werden kann.