Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.24: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Struktur und Zusammensetzung von CdSe/ZnSe-Quantenpunkten — •D. Litvinov, A. Rosenauer und D. Gerthsen — Universität Karlsruhe(TH), Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Kaiserstraße 12, 76128 Karlsruhe

Dieser Beitrag beschäftigt sich mit der Struktur und Zusammensetzung von ZnSe/CdSe/ZnSe-Schichten mit einer Dicke der CdSe-Schicht von 0,7 bis 3,6 Monolagen, die mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) [1] auf GaAs(001) Substraten aufgewachsen wurden.

Die Schichten wurden mit konventioneller und hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) untersucht. Zur Verzerrungsanalyse der hochauflösenden TEM-Aufnahmen wird das Auswerteverfahren DALI[2] eingesetzt. Die lokale Konzentrationsbestimmung wird an 3-Strahl Gitterebenenabbildungen unter Ausnutzung der chemischen Sensitivität des (002)-Reflexes mit dem CELFA[3]-Verfahren durchgeführt.

Es wird festgestellt, daß die CdSe-Schicht aus einer Benetzungsschicht und Inseln besteht. Konzentrationsprofile in Wachstumsrichtung zeigen bei allen Proben eine signifikante Verbreiterung der CdSe-Schichten. Wir finden zwei Typen von Inseln: Große Inseln mit einem Durchmesser von 20-50 nm und einer Dichte von 10⁹ cm⁻² sowie kleine Inseln mit einer Ausdehnung von etwa 5 nm und einer Dichte von 10¹¹ cm⁻². Die großen Inseln besitzen eine richtungsanisotrope Größenverteilung.

[1] S.V. Ivanov und S.V. Sorokin, Ioffe Institut, St. Petersburg

[2] A. Rosenauer, T. Remmele, D. Gerthsen, K. Tillmann, A. Förster, Optik 105, 99 (1997)

[3] A. Rosenauer, U. Fischer, D. Gerthsen, A. Förster, Ultramicroscopy 72, 121 (1998)