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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
HL 12.24: Poster
Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z
Struktur und Zusammensetzung von CdSe/ZnSe-Quantenpunkten — •D. Litvinov, A. Rosenauer und D. Gerthsen — Universität Karlsruhe(TH), Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Kaiserstraße 12, 76128 Karlsruhe
Dieser Beitrag beschäftigt sich mit der Struktur und Zusammensetzung von ZnSe/CdSe/ZnSe-Schichten mit einer Dicke der CdSe-Schicht von 0,7 bis 3,6 Monolagen, die mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) [1] auf GaAs(001) Substraten aufgewachsen wurden.
Die Schichten wurden mit konventioneller und hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) untersucht. Zur Verzerrungsanalyse der hochauflösenden TEM-Aufnahmen wird das Auswerteverfahren DALI[2] eingesetzt. Die lokale Konzentrationsbestimmung wird an 3-Strahl Gitterebenenabbildungen unter Ausnutzung der chemischen Sensitivität des (002)-Reflexes mit dem CELFA[3]-Verfahren durchgeführt.
Es wird festgestellt, daß die CdSe-Schicht aus einer Benetzungsschicht und Inseln besteht. Konzentrationsprofile in Wachstumsrichtung zeigen bei allen Proben eine signifikante Verbreiterung der CdSe-Schichten. Wir finden zwei Typen von Inseln: Große Inseln mit einem Durchmesser von 20-50 nm und einer Dichte von 109 cm−2 sowie kleine Inseln mit einer Ausdehnung von etwa 5 nm und einer Dichte von 1011 cm−2. Die großen Inseln besitzen eine richtungsanisotrope Größenverteilung.
[1] S.V. Ivanov und S.V. Sorokin, Ioffe Institut, St. Petersburg
[2] A. Rosenauer, T. Remmele, D. Gerthsen, K. Tillmann, A. Förster, Optik 105, 99 (1997)
[3] A. Rosenauer, U. Fischer, D. Gerthsen, A. Förster, Ultramicroscopy 72, 121 (1998)