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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.26: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Solar Blind UV-Photodetektoren mit Cutoff-Wellenlängen von 450 nm — •Johannes Sieß, Peter Grabs, Hans-Jürgen Lugauer, Andreas Waag und Gottfried Landwehr — Ph. Institut der Uni Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

In dieser Arbeit werden Detektoren auf der Basis von Be-Chalkogeniden für den blauen bis ultravioletten Spektralbereich untersucht. BeMgZnSe bietet die Möglichkeit große und variable Bandlücken gitterangepaßt auf GaAs zu wachsen. Die direkte Bandlücke kann hierbei von 2,8 eV bis 4 eV eingestellt werden. Photodetektoren aus diesem Material sind daher unempfindlich gegenüber infraroter und sichtbarer Strahlung. Es wurden p-i-n Photodioden auf p-GaAs gewachsen. Die Schichtenfolge besteht aus Stickstoff-dotiertem BeTe, intrinsischem und Iod-dotiertem BeMgZnSe. Den unteren Kontakt stellt eine Kupferplatte her, oben wurden Aluminiumringkontakte präpariert. BeTe mit einem Leitungsband-Offset von ca. 1,5 eV bezüglich GaAs soll neben der Möglichkeit einer hohen p-Dotierung auch als Barriere für Ladungsträger dienen, die im GaAs-Substrat erzeugt werden und sonst zum Photostrom beitragen würden. Die Proben zeigen sehr niedrige Dunkelströme von weniger als 10¹2 A. Die Quanteneffizienz liegt für 430 nm bei 65 %, darüber fällt sie auf 10⁻3 % ab.