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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.27: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Wachstum ultradünner CdS/ZnS Schichten in der MOVPE — •C. Meyne, V. Tuerck, U.W. Pohl, D. Bimberg und W. Richter — Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Verspannte Heterostrukturen mit Typ I Übergängen sind interessant für das selbstorganisierte Wachstum von Quantenpunkten. Mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) wurden Monolagen-dicke CdS-Schichten auf ZnS/GaP (001) bei 350^∘C abgeschieden. Das Wachstum und die Auswirkungen von Wachstumsunterbrechungen wurden in-situ mittels Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie verfolgt.
Die Proben wurden mit Hilfe von Photolumineszenzspektroskopie (PL) sowie mit orts- und spektral aufgelöster Kathodolumineszenz (CL) charakterisiert. In PL ist ein Peak von 60-120meV Breite zu beobachten, der den CdS-Schichten zugeordnet wird. Die CL von CdS Einfachschichten und CdS/ZnS Übergittern bei tiefen Temperaturen zeigt die Existenz von nulldimensionalen exitonischen Zuständen auf der niederenergetischen Seite der Lumineszenzbande. Auf der hochenergetischen Seite der Bande wurden solche Zustände nicht beobachtet. In dem Beitrag werden Auswirkungen von Wachstumsunterbrechungen, Schicht- und Stapeldicken auf die Lumineszenzeigenschaften vorgestellt und im Rahmen eines morphologischen Modells gedeutet.