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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.2: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Dotierung von MWPCVD-Diamantschichten mit Lithium-t-butoxid als Dotierquelle — •H. Sternschulte, M. Schreck und B. Stritzker — Institut für Physik, Universität Augsburg, D-86135 Augsburg

Als potentieller Donator in Diamant wird interstitiell eingebautes Lithium vermutet. Theoretische Berechnungen sagen ein Donatorniveau mit 100 meV voraus. In der Literatur finden sich bisher nur vereinzelte Experimente zur Lithium-Dotierung von Diamant über Ionenimplantation, Diffusion oder durch Einbringen während der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) mit teils widersprüchlichen Ergebnissen.
In diesem Beitrag wird über Experimente zur in-situ Li-Dotierung mittels Lithium-t-butoxid aus einer Feststoffquelle während der Mikrowellenplasma-CVD von Diamant berichtet. Das Plasma während des Wachstums wurde mit Hilfe von optischer Emissionsspektroskopie (OES) charakterisiert. Ramanspektroskopie, REM und Röntgenbeugung (XRD) wurden zur Bestimmung der strukturellen Schichteigenschaften verwendet. Die Analyse des Lithiumeinbaus erfolgte durch Elastic-Recoil-Detection (ERD). Darüber hinaus werden die Lumineszenzeigenschaften diskutiert und mit weiteren, an anderen Instituten hergestellten Li-dotierten Diamantschichten verglichen. eigentliche Text, genau einmal