Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
HL 12.30: Poster
Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z
Photoemissionsuntersuchungen an heteroepitaktischen
HgTe(Se) und CdTe(Se)(001) Schichten
— •D. Eich, K. Ortner, U. Groh, D. Hübner, M. Gräbner, C.R. Becker, R. Fink, G. Landwehr und E. Umbach — Experimentelle Physik II und III, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg
Für die Transporteigenschaften von HgTe/CdTe Übergittern ist der Valenzband-Offset (VBO) des abrupten HgTe/CdTe Heteroübergangs von besonderer Bedeutung. Die Bestimmung des Valenzbandmaximums (VBM) mittels linearer Extrapolation der niederenergetischen VB-Kante in Photoemissionsspektren ist eine allgemein akzeptierte Methode. k-aufgelöste UPS Messungen bei verschiedenen Photonenenergien zeigen, daß die Dispersion des VBM nicht vernachlässigt werden darf. Der VBO aus winkelaufgelösten UPS Messungen (He I, Ar I) der Hg 5d und Cd 4d Niveaus ergibt sich zu 0.53 ± 0.03 eV, XPS Untersuchungen bestätigen dies (Δ EVBO = 0.54 ± 0.1 eV). Diese Ergebnisse stimmen gut mit temperaturabhängigen magneto-optischen Untersuchungen überein (ΔVBO = 550 meV). Neueste winkelaufgelöste Photoemissionsuntersuchungen in Kombination mit IPES Messungen an MBE gewachsenen HgSe(001) Schichten scheinen die Existenz einer unerwarteten Energielücke zu bestätigen. Die Ergebnisse werden hinsichtlich der Bestimmungsmethode und hinsichtlich anderer kontroverser Resultate diskutiert. (Gefördert durch die DFG im Rahmen des SFB 410)