Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.34: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Photolumineszenzmessungen an III-V-Halbleitern mit hoher Orts- und Zeitauflösung — •Matthias Wellhöfer, Thomas Held, Wolfram Ibach, Olaf Hollricher und Othmar Marti — Abteilung Experimentelle Physik, Universität Ulm, Albert-Einstein-Allee 11, 89069 Ulm

Die Laser-Scanning-Mikroskopie ermöglicht im Vergleich

zur herkömmlichen µ-Photolumineszenz eine wesentlich

bessere Ortsauflösung, die kleiner als die

Diffusionslänge des Halbleitermaterials sein kann.

Durch die Kombination von orts- und zeitaufgelösten Messungen

kann die Qualität optischer Bauelemente studiert werden

mit dem Ziel, die Wachstumparameter sowie die Schichtstruktur zu

optimieren. Untersucht wurden u. a. MQW-Strukturen mit

unterschiedlichen Verzerrungen („Strained Layer“)

im Hinblick auf Relaxationslinien und Defekte, die sich

in einer veränderten Lumineszenzintensität äußern. Im

Hinblick auf die spätere Verwendung der Strukturen als aktive

Zone von Laserdioden wurden sämtliche Messungen bei

Raumtemperatur durchgeführt.