Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.35: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Diffusion von Stickstoff aus einer vergrabenen Schicht in intrinsisches und hochdotiertes GaAs — •G. Bösker¹, N. A. Stolwijk¹, J. V. Thordson², U. Södervall², G. Swenson², T. G. Andersson², C. Jäger³ und W. Jäger³ — ¹Institut für Metallforschung, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, D-48149 Münster — ²Dept of Physics, Chalmers University of Technology and Göteborg University, S-41296 Göteborg, Sweden — ³Mikrostrukturanalytik, Technische Fakultät der Universtät Kiel, D-24143 Kiel

In den letzten Jahren haben GaAs/GaN-Systeme wegen ihrer möglichen Anwendung als Feststofflaser ein großes Interesse gefunden. Dennoch sind eine Vielzahl von Problemen bezüglich eingewachsener Defekte und thermischer Stabilität bis heute ungelöst. Für die hier vorgestellten Experimente wurden geeignete GaAs/GaAs:N/GaAs-Heterostrukturen mit einer maximalen Stickstoffkonzentration von ca. 5× 10¹⁹ cm⁻³ mittels MBE auf GaAs-Substrate aufgewachsen. Neben intrinsischen wurden auch Be-dotierte und Si-dotierte Strukturen hergestellt, um gezielt den Effekt einer homogenen Dotierung auf die Verbreiterung der N-Schicht zu untersuchen. Die Mikrostruktur der frisch gewachsenen und geglühten Proben wurde mittels TEM charakterisiert. Die N-Verteilung vor und nach den Glühungen wurde mit SIMS gemessen und numerisch simuliert. Dies führte zu dem Schluß, daß die Diffusion auf dem As-Untergitter von GaAs hauptsächlich über Eigenzwischengitteratome abläuft. So erhielten wir zum ersten Mal Daten über die N-Diffusion und die As-Diffusion im Temperaturbereich von 720 ^∘C - 920 ^∘C in GaAs.