Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.36: Poster

Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z

Diffusion der Halogene Brom und Jod in III-V Halbleitern — •M. Risse¹, K. Lorenz¹, R. Vianden¹, A. Kling², J.C. Soares², A. Byrne³, P.N.K. Deenapanray³, C. Glover³, S. Matics⁴, P. Scharwaechter⁴ und K. Freitag¹ — ¹ISKP, Univ. Bonn, Nußallee 14-16, 53115 Bonn — ²ITN, Sacavem, P — ³ANU, Canberra, AUS — ⁴MPI f. Metallf., Stuttgart

Über die Diffusion von Halogenen in III-V Halbleitern ist bislang nur sehr wenig bekannt. Mit der RBS und Channeling Methode wurde das Verhalten von Jod in GaAs untersucht. Es wurde Jod mit einer Dosis von 3*10¹⁵cm⁻² implantiert und Messungen nach Temperschritten zwischen 500 und 1000^oC für 30s bis zu 9h durchgeführt. Zum Schutz des Halbleiters wurde vor dem Tempern eine Si₃N₄ Schicht aufgebracht. Man erkennt, daß ein Teil des Jods ins Interface diffundiert, während ein anderer Teil auf substitutionellen Gitterplätzen eingebaut wird. Außerdem wurden SIMS Messungen an Br in InAs durchgeführt, nach Implantation von 2 - 10*10¹⁴cm⁻² und einem Temperschritt von 120s bei 750^oC. Ähnliche Messungen an Br in GaAs wurden bereits früher durchgeführt. Das Verhalten der Br-Atome ist hierbei abhängig von der Vordotierung des Materials. Bei beiden Meßmethoden wurde mit recht hohen Implantationsdosen gearbeitet. Eine dritte Methode, die Radiotracer Methode, erlaubt es bei wesentlich geringeren Dosen zu arbeiten. Mit dieser Methode wurden Untersuchungen an ⁸²Br in GaAs durchgeführt (< 2*10¹²cm⁻²) . Bei diesen geringeren Dosen und der höheren Meßempfindlichkeit gibt es Anzeichen dafür, daß ein kleiner Anteil der Ionen, in der Größenordung der Materialeigendefekte, einer schnellen Diffusion bei Raumtemperatur unterliegt. Der größere Teil der Ionen zeigt ein ähnliches Verhalten wie bei den anderen Methoden beobachtet.