Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
HL 12.37: Poster
Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z
Halleffekt-Untersuchungen des 71As → 71Ge → 71Ga -Übergangs in GaAs — •C. von Nathusius1, R. Vianden1 und Isolde-Kollaboration2 — 1Institut für Strahlen- und Kernphysik, Universität Bonn, Nußallee 14-16, D-53115 Bonn — 2Isolde-Kollaboration, CERN Geneve, CH
Untersuchungen der Implantation von 71As in GaAs haben die Bildung des GaAs-Antisite-Defekts nachgewiesen. Das in einem Temperschritt auf dem As-Platz eingebaute 71As zerfällt über 71Ge zum 71Ga. Während der in der Zerfallskaskade entstehende GeAs-Defekt Akzeptorcharakter zeigt, hat GaAs Akzeptor- oder kompensierendes Verhalten gezeigt. Zur Untersuchung dieses uneinheitlichen elektischen Verhaltens wurden weitere Hall-Effekt- und Widerstandsmessungen an verschiedenen mit 71As dotierten GaAs-Poben durchgefuehrt.
[1] G.Rohrlack et.al., Nucl.Instr.Meth. B (1995), B106 (no. 1-4), p.267-70
[2] R.Magerle et.al., Mater.Science Forum (1997), vol.258-163, pt.2, p.945-50