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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.39: Poster

Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z

Photolumineszenzuntersuchungen an kubischem GaN:Mg — •Torsten Lüttgert1, U. v. Gfug1, M. Straßburg1, A. Hoffmann1, D. J. As2 und T. Simonsmeier21Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2Universität GH Paderborn, FB 6 Physik, Warburger Str. 100, 33098 Paderborn

Es wurde die Photolumineszenz einer Serie von fünf mit MBE

(molecular beam epitaxy) gewachsenen Proben aus kubischem GaN mit

verschieden hoher Magnesiumdotierung untersucht. Dabei wurde die

Anregungsdichte über vier Größenordnungen variiert.

Aus den Banden (Exzitonenlinien,

Donator-Akzeptor-Paar-Übergang) wurde

ermittelt, das ein Donatorniveau bei 25 meV Abstand vom

Leitungsband liegt und ein Akzeptorniveau bei 130 meV Abstand

vom Valenzband.

Ein weiteres Akzeptorniveau (Magnesium als Akzeptor) liegt bei

240 meV Abstand vom Valenzband. Es wurden auch weitere

Donatorniveaus ermittelt, die wahrscheinlich durch Mg-Cluster

oder Mg auf Zwischengitterplätzen verursacht werden.

Diese haben von Probe zu Probe verschiedene Energien. Beobachtet

wurden 185 meV und 335 meV Abstand zum Leitungsband.

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