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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.3: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Elektronen-Energieverlustspektroskopie in Transmission an undotierten und dotierten Diamantschichten — •S. Waidmann¹, K. Bartsch¹, F. Fontaine², B. Arnold¹, M. Knupfer¹, A. Leonhardt¹ und J. Fink¹ — ¹Institut für Festkörper- und Werkstofforschung Dresden, Postfach 270016, D-01171 Dresden, Germany — ²Forschungszentrum Rossendorf, Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, Postfach 510119, D-01314 Dresden, Germany

Mittels Mikrowellen-Plasma-CVD wurden unterschiedlich texturierte Diamantfilme auf (100)-Silizium abgeschieden. In-situ wurde Bor zur p-Dotierung und Phosphor zur n-Dotierung eingesetzt. Damit verglichen werden Diamantschichten, die durch Ionenimplantation mit Bor dotiert wurden. Die Charakterisierung der Schichten in bezug auf die Morphologie und die Textur wurde mittels REM und XRD vorgenommen. Zur Bestimmung der elektronischen Eigenschaften wurde Elektronenen-Energieverlustspektroskopie (EELS) in Transmission verwendet. EELS ist eine besonders sensitive Methode, was die Bestimmung des sp²-Anteils, also des Anteils an nicht-diamantartigem Kohlenstoff, betrifft.