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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.41: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Herstellung und Untersuchung von (GaIn)(NAs)/GaAs-Potentialtopfstrukturen — •Jörg Koch, Michael Lampalzer, Falko Höhnsdorf und Wolfgang Stolz — Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Fachbereich Physik
Philipps-Universität Marburg

Das neuartige Mischkristallsystem (GaIn)(NAs), das gitterangepaßt oder auch verspannt auf GaAs-Substrat epitaktisch hergestellt werden kann, erlangt aufgrund seiner besonderen physikalischen Eigenschaften, wie z.B. der Möglichkeit, Lichtemission im 1.3µm und 1.55µm Spektralbereich auf GaAs-Substrat zu realisieren, immer größeres Interesse. (GaIn)(NAs)/GaAs-Potentialtopfstrukturen (MQW) wurden mittels der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) unter Einsatz von 1,1-Dimethylhydrazin (UDMHy) und Tertiärbutylarsin (TBA) unter extremen Nichtgleichgewichtsbedingungen hergestellt sowie mittels hochauflösender Rntgenbeugung (XRD) und Photolumineszenzspektroskopie (PL) untersucht. Das Einbauverhalten von In und N in (GaIn)(NAs) wurde quantitativ bestimmt. Durch Optimierung der Abscheidebedingungen konnten MQW realisiert werden, die intensive Band-Band-Übergänge mit einer Emissionswellenlänge bis zu 1.5µm bei Raumtemperatur zeigen. Die Änderung der Energielücke als Funktion der N-Konzentration wird vorgestellt und diskutiert.