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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.42: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

MCDA-EPR-Untersuchungen an vom Substrat abgelösten, MBE-gewachsenen GaAs-Schichten — •Igor Tkach — Fachbereich Physik, Universität Paderborn, D-33095 Paderborn

GaAs-Niedertemperatur-MBE-Schichten wurden vom Substrat abgelöst und auf einen

Glasträger aufgebracht. Eine Serie dieser Schichten, die bei ca.

200^∘ C gewachsen und dann bei verschiedenen Temperaturen getempert

wurden, haben wir mit optisch über den magnetischen Zirkulardichroismus der

Absorption (MCDA) nachgewiesener elektronenparamagnetischen

Resonanz (EPR) im K- und W-Band (24 / 94 GHz) untersucht.

Arsenantistrukturdefekte wurden nachgewiesen. Mit Hilfe der MCDA-EPR-Technik

konnten wir zeigen, daß diese Defekte Absorptionsbanden besitzen, die

energetisch oberhalb der intrinsischen Band-Band-Absorption liegen.

Es wird spekuliert, daß es sich bei diesen Banden um Übergänge in höhere,

mit dem Leitungsband resonante Zustände handelt.