Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.43: Poster

Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z

Untersuchungen zur Zink-Diffusion in Galliumphosphid — •J. Pöpping¹, N. A. Stolwijk¹, G. Bösker¹, C. Jäger², W. Jäger², U. Södervall³ und H. Mehrer¹ — ¹Institut für Metallforschung, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, D-48149 Münster — ²Technische Fakultät, Universität Kiel, Kaiserstraße 2, D-24143 Kiel — ³Department of Physics, Chalmers University of Technology, S-41296 Göteborg

Die atomare Diffusion in dem III-V Halbleiter GaP ist im Gegensatz zu GaAs noch wenig untersucht. Dies betrifft sowohl die Fremd- als auch die Selbstdiffusion. Wir haben Diffusionsexperimente an GaP mit unterschiedlichen Zn-P-Quellen im Temperaturbereich von 800^∘C bis 1100^∘C durchgeführt. Aus EMPA- und SIMS-Messungen wurden Randlöslichkeiten und Konzentrations-Weg-Profile von Zn in GaP gewonnen. Zusätzliche TEM-Analysen zeigten eine Korrelation zwischen dem Diffusionsprofil und einer diffusionsinduzierten Defektstruktur. Damit sind Rückschlüsse auf den vorherrschenden Diffusionsmechanismus möglich. Diese Informationen sind in numerische Anpassungen der gemessenen Profile eingeflossen und lieferten erstmals Diffusionskoeffizienten nicht nur für Zn sondern auch für den Anteil der Ga-Eigenzwischengitteratome bei der Ga-Diffusion in GaP.