Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
HL 12.48: Poster
Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z
Herstellung und Charakterisierung von MBE gewachsenen InAs HEMT-Strukturen auf GaAs(001) Substraten — •A. Richter, S. Günther, T. Matsuyama, R. Anton, C. Heyn, W. Hansen und U. Merkt — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg
Wir berichten über die Herstellung von InAs basierten HEMT-Strukturen auf GaAs(001) Substraten. Der leitfähige Kanal unserer Strukturen besteht aus einem InAlAs/InGaAs/InAlAs Quantentrog, in dem zusätzlich eine dünne, verspannte InAs Schicht eingebettet ist. Zur Gitteranpassung des aktiven Bereiches an das GaAs Substrat wird zuvor eine InAlAs Pufferstruktur gewachsen, in der der In-Gehalt in Schritten oder graduell von 0% auf 75% erhöht wird. Magnetotransportmessungen ergeben Beweglichkeiten von 30000 − 60000 cm2/(Vs) und Ladungsträgerdichten von 5 − 8 * 1011 cm−2 bei einer Temperatur von T=4,2 K. Die morphologische Charakterisierung der Strukturen erfolgt mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und Rasterkraftmikroskopie (AFM).