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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.51: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Untersuchung von modulationsdotierten CdS-ZnSe-Mehrfach-quantentrogstrukturen mit hohen Intersubbandübergangsenergien — •M. Göppert¹, R. Becker¹, I. Galbraith², S. Petillion¹, A. Dinger¹, M. Hetterich¹, M. Grün¹ und C.F. Klingshirn¹ — ¹Inst. für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe — ²Physics Department, Heriot-Watt University, Edinburgh, U.K.

Die Infrarotspektroskopie in Wellenleitergeometrie stellt ein gängiges Verfahren dar, Intersubbanbübergänge in Mehrfachquantentrögen und Übergittern zu untersuchen. Durch den relativ großen Leitungsbandoffset in verspannten Typ II CdS-ZnSe-Schichten erreichten wir Intersubbandübergangsenergien bis zu 600meV. Die mit Cl n-dotierten kubischen CdS-ZnSe-Heterostrukturen wurden mit Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf undotiertem GaAs aufgewachsen. In den höchstdotierten Proben wurden Flächenladungsdichten bis zu 10¹³cm⁻² und damit auch eine Besetzung des zweiten Subbandniveaus erreicht. Die Intersubbandübergänge wurden mit Fourierspektroskopie polarisations- und temperaturabhängig gemessen. Die in die theoretische Berechnung der Übergangsenergien eingehende effektive Elektronenmasse von kubischem CdS konnte mit einer Kombination aus IR-Reflexionsmessungen und Hallmessungen ermittelt werden.