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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.53: Poster

Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z

MBE-Wachstum von Halbleiterheterostrukturen mit hochbeweglichen Elektronen — •D. Reuter, I. Kamphausen und A.D. Wieck — Ruhr-Universität Bochum, Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Universitätsstrasse 150, 44780 Bochum

In selektiv dotierten III-V-Halbleiterheterostrukturen lassen sich 2-dimensionale Elektronengase erzeugen, in denen die Elektronen extrem hohe Tieftemperaturbeweglichkeiten erreichen, was für zahlreiche Anwendungen von großem Interesse ist. Solche Heterostrukturen lassen sich mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) herstellen. Um höchste Beweglichkeiten zu erreichen, ist insbesondere der Einbau von Fremdatomen zu minimieren, was zu sehr aufwendigen und teueren MBE-Anlagen geführt hat. Wir berichten in diesem Beitrag über unsere Erfahrungen mit einem einfachen, preiswerten und zuverlässigen MBE-System, in dem Substrate von bis zu 3′′ Durchmesser verarbeitet werden können. Wir konnten Tieftemperaturbeweglichkeiten von bis zu 7,9× 106 cm2/Vs bei Elektronendichten von etwa 4× 1011 cm−2 erzielen. Dies wurde insbesondere durch Optimierung der Wachstumsparameter Substrattemperatur und As-Flux erreicht. Es werden die apparativen Besonderheiten der MBE-Anlage im Bezug auf die Wachstumserfolge diskutiert.
Diese Arbeit wurde im Rahmen des Graduiertenkollegs 384 gefördert.

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