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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.54: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Raman- und PL-Untersuchungen an kubischen CdS/ZnSe Quantenfilmstrukturen — •A. Dinger¹, S. Petillon¹, M. Grün¹, M. Göppert¹, M. Hetterich¹, C. Klingshirn¹, J. Liang², B. Weise², V. Wagner² und J. Geurts² — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, D-76128 Karlsruhe — ²Physikalisches Institut, Universität Würzburg, D-97076 Würzburg

Wir berichten über Raman- und PL-Untersuchungen an kubischen CdS/ZnSe Typ II Einfach- und Mehrfachquantenfilmen, sowie Übergittern. Die entsprechenden Quantenstrukturen wurden mittels Molekularstrahlepitaxie auf GaAs(001) aufgewachsen. In Abhängigkeit von der jeweiligen Schichtdicke bzw. Übergitterperiodenlänge variiert die spektrale Lage des PL-Maximums zwischen 2.1 eV und 2.7 eV (bei 5K). Es werden intensive Lumineszenzbanden mit Halbwertsbreiten zwischen 16 meV und 35 meV beobachtet. Durch Anpassung von Modellrechnungen an die spektrale Lage der Übergangsenergien in Abhängigkeit der Schichtdicken konnte der bisher unbekannte Leitungs- und Valenzbandoffset für das CdS/ZnSe System experimentell bestimmt werden. Weiterhin wurde mit dieser Anpassung die effektive Elektronenmasse für kubisches CdS ermittelt. Mittels Ramanstreuung wurden in Übergittern gefaltete longitudinale akustische Phononen bis zur dritten Ordnung beobachtet. In Konsistenz mit Röntgenbeugungsexperimenten zeigt dies die gute Homogenität der Übergitterperiodenlänge. Schichtbegrenzte LO Phononen höherer Ordnung deuten auf gute Grenzflächeneigenschaften der untersuchten Übergitter hin. Für die ZnSe LO Moden konnte unter Berücksichtigung von verspannungsinduzierten Frequenzverschiebungen der Verlauf der Volumendispersionsrelation für die erste Hälfte der Brillouinzone gut reproduziert werden.