Münster 1999 – scientific programme
Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
HL 12.58: Poster
Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z
Resonantes Tunneln und Bistabilität in vertikalen Doppelbarrierenstrukturen — •J. Könemann1, P. König1, R.J. Haug1, T. Schmidt2, A. Förster3 und H. Lüth3 — 1Inst. f. Festkörperphysik, Universität Hannover — 2IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights — 3Inst. f. Schicht- und Ionentechnik, FZ Jülich
Wir haben an einer epitaktisch gewachsenen Doppelbarrieren-Hetero-Struktur mit asymmetrischen Tunnelbarrieren DC-Mesungen des resonanten Tunnelstroms vorgenommen. Unsere Probe besteht aus 5 bzw. 8 nm dicken AlGaAs-Tunnelbarrieren, die einen 10 nm dicken GaAs-Quantenwell einschließen und durch 7 nm große, undotierte Spacerlayer von den hochdotierten Zuleitungen (Si-Konz.: 4· 1017 cm−3) getrennt sind. Der geometrische Durchmesser unserer Probe beträgt 2µm, der effektive elektronische ca. 1.4 µm. Wir beobachten bistabiles Verhalten der Peak-Spannungen und Peak-Ströme für negativen Bias, d.h. für die Tunnel-Reihenfolge von der dünnen zur dicken Barriere. Unter Variation eines in Wachstums- und Stromrichtung angelegten Magnetfeldes zeigen die Peak-Ströme typische Magneto-Oszillationen, aus denen sich die biasabhängige Ladungsträgerakkumulation im Quanten-Well ermitteln läßt. Ebenso verändert sich der Spannungsbereich des bistabilen Verhaltens, und die Bistabilität der Peak-Ströme verschwindet bei höheren Magnetfeldern. Dies wird mit theoretischen Arbeiten verglichen. Weiter analysieren wir eingehend die Magnetfeldabhängigkeit der Valley-Ströme sowie des Peak-to-Valley-Verhältnisses.