Münster 1999 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.59: Poster

Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z

Herstellung und Charakterisierung von MBE-gewachsenen MIS-Heterostrukturen mit epitaktischen Feldeffektelektroden — •H.-J. Klammer, D. Schmerek, I. Lohse, C. Heyn und W. Hansen — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg

Wir berichten über modifizierte Metall-Isolator-Halbleiter- (MIS-) Heterostrukturen auf der Basis von GaAs/Al_xGa_1−xAs-Schichtsystemen, die mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie (MBE) präpariert werden. In den untersuchten MIS-Strukturen werden zweidimensionale Elektronensysteme mit starken Einschlußpotentialen in Wachstumsrichtung und abstimmbaren Besetzungsdichten durch Feldeffekt induziert. Aufgrund der räumlichen Separation von Donatoratomen und Elektronensystem durch eine Tunnelbarriere können beeinträchtigende Potentialfluktuationen durch Coulombzentren weitgehend vermieden werden. Dabei dienen hier eingewachsene, teilweise ex-situ-vorstrukturierte und danach überwachsene Si-dotierte n⁺-GaAs-Schichten als Rückelektrode zum Laden des Elektronensystems. Frontseitig werden erstmals separat kontaktierbare, heteroepitaktisch gewachsene n⁺-GaAs-Feldeffektelektroden zur Kontrolle der Elektronendichte eingesetzt, die das Problem störender Potentiale durch Oberflächen- beziehungsweise Grenzflächenladungen beseitigen. Wir präsentieren Charakterisierungsmessungen der elektronischen Eigenschaften unserer MIS-Strukturen mit Hilfe der Magnetokapazitätsspektroskopie bei T=4.2K und Magnetfeldern bis zu 5.5 Tesla.