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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.5: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

AFM-Untersuchungen an epitaktischen Bi₂Se₃- und Bi₂Te₃-Schichten auf BaF₂(111) — •Harald Beyer¹, Stefan Müller², Joachim Nurnus¹, Armin Lambrecht¹ und Harald Böttner¹ — ¹Fraunhofer-Institut
Physikalische Meßtechnik (IPM)
Heidenhofstr. 8
D-79110 Freiburg i.Br. — ²Fraunhofer-Institut
Angewandte Festkörperphysik (IAF)
Tullastr. 72
D-79108 Freiburg i.Br.

Bi₂Se₃- und Bi₂Te₃-Verbindungen sowie Bleichalkogenide wie z.B. PbSe und PbTe stellen aufgrund ihrer vergleichsweise hohen thermoelektrischen Güteziffer Z*T, die direkt in den Wirkungsgrad thermoelektrischer Anwendungen eingeht, geeignete Materialien für die Herstellung von thermoelektrischen Bauelementen dar. Modellrechnungen besagen, daß diese Güteziffer in zweidimensionalen MQW-Strukturen gegenüber bulk-Materialien deutlich erhöht sein soll. Während bei PbTe bereits MQW-Strukturen realisiert wurden, ist bei Bi₂Se₃- und Bi₂Te₃-Verbindungen zu klären, ob die epitaktische Qualität von Schichten aus diesen Materialien für derartige Strukturen hinreichend ist. Aus diesem Grund wurden durch Molekularstrahlepitaxie (MBE) mit Elementquellen Bi₂Se₃- und Bi₂Te₃-Schichten auf BaF₂(111) mit einer Dicke von ca. 0,5 µ m bei Substrat-Temperaturen im Bereich von 300^∘C hergestellt. Vergleichende AFM-Messungen an diesen Schichten sowie an PbSe- und PbTe-Schichten, zeigen, daß Bi₂Te₃ bezüglich Oberflächentopographie und -rauhigkeit ein geeignetes Material für MQW-Strukturen darstellt.