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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.60: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

In-situ Ätzen und MBE Überwachsen zur Herstellung von GaAs-AlGaAs Quantendrähten — •C. Klein, S. Kramp, J. Lohse, Ch. Heyn, W. Hansen und D. Heitmann — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Jungiusstraße 11, 20355 Hamburg

In dem von uns verfolgten Verfahren werden Quantendrähte auf der Basis von GaAs-AlGaAs Heterostrukturen in-situ lateral strukturiert und ohne Brechen des Vakuums mittels MBE überwachsen.
Dadurch wird der Einfluß von Oberflächenzuständen an freien Oberflächen, die zu Verarmungszonen für Ladungsträger und zu nichtstrahlenden Rekombinationszentren für Exzitonen führen, stark vermindert.
Zentrale Bedeutung hat bei dem Verfahren ein CAIBE (chemical assisted ion beam etching) Prozeß, der in einer an eine Molekularstrahlepitaxieanlage adaptierten Prozeßkammer durchgeführt wird, und das darauf folgende Abscheiden epitaktischer Schichten auf die angeätzte Oberfläche. Die elektrischen Eigenschaften der überwachsenen Grenzflächen werden zum einen mit Kapazitäts-Spannungs-Messungen untersucht. Zum anderen werden 2DEGs an den Grenzflächen präpariert und deren Transporteigenschaften ermittelt. Darüber hinaus werden die elektrischen Eigenschaften von in-situ geätzten und überwachsenen Quantendrähten im Vergleich zu nicht überwachsenen Drähten präsentiert.