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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.62: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Untersuchungen zur Abhängigkeit der effektiven Elektronenmasse in n-InGaAs/InP Quantenschichten von Ladungsträgerkonzentration und Temperatur — •F. Hitzel¹, D. Schneider¹, P. Boensch² und A. Schlachetzki² — ¹Institut für Technische Physik und Hochmagnetfeldanlage, TU Braunschweig — ²Institut für Halbleitertechnik, TU Braunschweig

Das Leitungsband des für optoelektronische Bauelemente wichtigen ternären Halbleiters In_0,53Ga_0,47As/InP ist stark nichtparapolisch. Deshalb sind die effektiven Elektronenmassen m^* von verschiedenen Parametern wie Schichtdicke, Temperatur T und Ladungsträgerkonzentration n abhängig, insbesondere im zweidimensionalen Elektronengas (2DEG) (siehe z.B. ¹).

Wir untersuchen die effektiven Elektronenmassen im 2DEG von sieben verschieden dotierten, mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie hergestellten InGaAs/InP-Mehrfachquantenschichten in Abhängigkeit von n und T. Die Bestimmung dieser Parameter erfolgt durch Messung und Auswertung von hochaufgelösten Schubnikow-de Haas-Oszillationen (bis zu 16 Quantenzahlen) und des Halleffekts bei jeweils 68 Temperaturen aus dem Bereich von T=3 bis 30 K und in Magnetfeldern bis B=9 T.

[1] D. Schneider, L. Elbrecht, J. Creutzburg, A. Schlachetzki, G. Zwinge, J. Appl. Phys. 77, 2828 (1995)