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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.70: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Strukturelle Charakterisierung von Heterostrukturgrenzflächen mit Cross-Sectional STM — •T.C.G. Reusch¹, M. Wenderoth¹, K.J. Engel¹, K. Sauthoff¹, R.G. Ulbrich¹, R. Winterhoff², F. Scholz², G. Schedelbeck³ und W. Wegscheider³ — ¹4. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstr. 13, 37073 Göttingen — ²4. Physikalisches Institut der Universität Stuttgart — ³Walter-Schottky-Institut München

Die Struktur der Grenzfläche von AlGaAs/GaAs Heterostrukuren wurde durch den Vergleich von Cross-Sectional STM Topographien und Simulationen charakterisiert. Mit Hilfe statistischer Analysemethoden, basierend auf Atomkarten der Aluminumverteilung in der Oberfläche, wurden unterschiedliche Proben untersucht.
1) Die MBE-gewachsene GaAs/AlGaAs-Grenzfläche zeichnet sich durch ihre strukurelle Perfektion im Rahmen der Analyse aus. Es wurden weder Wachstumsstufen, noch Konzentrationsgradienten oder Abweichungen von der binomialen Unordnung festgestellt.
2) Die MOVPE-gewachsene GaAs/AlGaAs-Grenzfläche zeigt Hinweise auf Clustering der Al-Atome auf einer nm-Skala. Diese interpretieren wir dahingehend, daß sich im Volumenmaterial beobachtete kurzreichweitige Ordnungsphänomene bis in den Bereich der Grenzfläche fortsetzen. Es zeigt sich, daß das Konzept der RMS-Rauhigkeit dieses Phänomen nicht berücksichtigt.
3) Auf verkippt aufgewachsenen MOVPE-Proben haben wir die Bildung von Superstufen beobachtet. Die Terrassen zwischen den Stufen zeigen eine geringere RMS-Rauhigkeit, was mit Abweichungen von der biniomialen Verteilung der Al-Atome zusammenhängt.