Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.87: Poster

Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z

Optische Anisotropie von geordnetem Ga_0.52In_0.48P unter Hochanregung — •U. Dörr, J. Schuler und H. Kalt — Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, 76128 Karlsruhe

Unter bestimmten Wachstumsbedingungen bildet sich in MOVPE-gewachsenem Ga_0.52In_0.48P die CuPt_B-Ordnung aus. Die damit einhergehende Symmetrieverminderung bewirkt eine Valenzbandaufspaltung und eine Anisotropie der optischen Übergänge. Zusätzlich dazu sind die optischen Eigenschaften stark von Lokalisierungseffekten geprägt. Dies liegt einerseits an der Legierungsunordnung im Mischkristall, die auch bei ungeordnetem Material vorliegt. Andererseits impliziert die domänenartige Mikrostruktur des geordneten Materials zusätzliche Potentialfluktuationen aufgrund des räumlich variierenden Ordnungsgrades. Bei sehr hohen Anregungsintensitäten im Bereich von einigen MW/cm² verlieren tief lokalisierte Zustände aufgrund von Auffülleffekten ihren Einfluß auf die optischen Eigenschaften. In diesem Fall tritt bandkantennahe Lumineszenz in den Vordergrund. Wir untersuchen die Emission in Rückstreugeometrie sowie die Kantenemission bei strichförmiger Anregung parallel zu den natürlichen Bruchkanten des Materials. Die spektrale Lage und die Polarisation der Emission wird im Hinblick auf Auswahlregeln, Orientierung des dielektrischen Tensors und Einfluß von Auffülleffekten diskutiert.