Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.9: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Struktur und Dynamik der mit Antimon bedeckten (110)-Oberfläche von III-V-Halbleitern – eine ab initio Studie — •M. Arnold, J. Fritsch, P. Pavone und U. Schröder — Institut für Theoretische Physik, Universität Regensburg, Universitätsstraße 31, D-93040 Regensburg

Die strukturellen und dynamischen Eigenschaften der mit Antimon bedeckten (110)-Oberfläche von III-V-Halbleitern wurden im Rahmen eines auf der Dichtefunktionaltheorie beruhenden Formalismus untersucht. Im einzelnen werden die Ergebnisse für die Systeme GaAs(110):Sb, GaP(110):Sb, InP(110):Sb und InAs(110):Sb vorgestellt. Die vollständig relaxierte Oberflächenstruktur und die volle Dispersion der Oberflächenphononen entlang der Hochsymmetrierichtungen ΓX und ΓX’ wurden ermittelt. Die auftretenden Oberflächenmoden stimmen sehr gut mit den Meßdaten aus Raman- bzw. Helium-Streuung [1,2] überein.

[1] N. Esser und W. Richter, phys. stat. sol. (b) 152 (1995) 191

[2] H. Tröger, W. Theis und K. H. Rieder, Verhandl. DPG (VI) 33, 868 (1998)