Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.98: Poster

Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z

E-Feld Einflüsse in der Ramanspektroskopie an ZnSe: Franz-Keldysch Oszillation — •M. Weber, M. Becker, T. Füller, M. Korn, V. Wagner, J. Geurts und G. Landwehr — Physikalisches Institut, EPIII, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Die Bestimmung innerer elektrischer Felder in dünnen Schichten mittels optischer Methoden erlaubt die Analyse innerer Device-Eigenschaften weitgehend unabhängig von Einflüssen äußerer Kontaktstrukturen. Wir analysieren im vorliegenden Beitrag kontaktierte dünne ZnSe-Schichten auf n-dotierten GaAs-Substraten mit aufgeprägten elektrischen Feldern im Bereich von -90 kV/cm bis 440 kV/cm. Parallel zu der verbreiteten Methode der Elektroreflexion setzen wir hierzu ergänzend resonante Ramanstreuung am longitudinalen optischen Phonon (LO) von ZnSe ein. Wie bereits an GaAs beobachtet wurde (M.Kobull et al., PRB 51 (1995) 7353) zeigt auch die Streuintensität des ZnSe-Phonons im vorliegenden Fall eine ausgeprägte Abhängigkeit von der angelegten äußeren Spannung. Zusätzlich analysieren wir die sich unterscheidende Abhängigkeit der Streuintensität der ZnSe 2LO- und 3LO-Obertöne. Die Ergebnisse werden im Rahmen der Theorie von Franz-Keldysh Oszillationen ausgewertet und mit Ergebnisse aus Elektroreflexionsmessungen verglichen. Neben den ZnSe-Schichtphononen werden auch GaAs-artige Phononen mit Resonanzüberhöhung aus dem Grenzflächenbereich beobachtet und diskutiert.