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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Photovoltaik II

HL 14.1: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 10:30–10:45, H1

Grenzflächencharakterisierung von ZnO Filmen auf Si(111):H — •U. Meier¹, M. Lammer², A. Klein², W. Jaegermann² und C. Pettenkofer¹ — ¹Hahn-Meitner-Institut, Abt. CG, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin — ²TU Darmstadt, FB Materialwissenschaft, Karolinenplatz 5, 64289 Darmstadt

ZnO ist in der Photovoltaik als Fenstermaterial weit verbreitet. In Heterokontaktsolarzellen wird die erzielbare Photospannung u.a. von den mikroskopischen Eigenschaften der Grenzfläche von ZnO zum Substrat bestimmt. Diese Grenzflächeneigenschaften hängen in hohem Maße von der Art der Präparation ab. Um diesen Einfluß zu belegen, wurden ZnO Schichten mit unterschiedlichen Verfahren auf z.B. Si(111):H Substraten abgeschieden und mit SXPS bei Bessy in situ untersucht. Die Präparation erfolgte (i) mittels MOCVD mit den Precursoren Wasser und Diethylzink bei 1· 10⁻³ Pa und (ii) zum Vergleich mittels technologischem Magnetron Sputtern vom keramischen ZnO-Target. Auf chemisch passiviertem Si(111):H zeigte sich, daß durch das Sputtern eine starke Oberflächenoxidation des Siliziums stattfindet. Bei der MOCVD-Abscheidung bei 250^∘C bleibt dagegen die Wasserstoffpassivierung erhalten, es bildet sich kein Siliziumoxid. Im Vergleich zu gesputterten Proben weisen die mit MOCVD präparierten Heteroübergänge eine höhere Barriere auf (siehe M. Poschenrieder et al).