Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Photovoltaik II

HL 14.3: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 11:00–11:15, H1

DLTS-Untersuchungen zur Bestimmung der Einfangquerschnitte für Elektronen und Löcher von Oberflächenzuständen in unterschiedlich behandelten Metall/Oxid/Silicium-Kondensatoren — •Markus Ernst¹, Andreas Bierhals¹, Stefan W. Glunz², Wilhelm Warta² und Armin G. Aberle³ — ¹Institut für Solarenergieforschung Hameln/Emmerthal, Am Ohrberg 1, D-31860 Emmerthal — ²Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme, 79100 Freiburg — ³University of New South Wales, Sydney 2052, Australia

Die Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit einer Si/SiO₂-Grenzfläche ist eine den Wirkungsgrad einer Solarzelle maßgeblich beeinflussende Größe. Sie ergibt sich u. a. aus den Einfangquerschnitten und der Dichte der Störstellen innerhalb des verbotenen Energiebandes an der Grenzfläche. Zur energieaufgelösten Messung dieser Parameter wurde ein Small-Pulse-DLTS-Meßplatz aufgebaut, der als Erweiterung zu [1] die Möglichkeit zur Aufnahme der vollständigen Emissionstransienten bietet. Die Datenanalyse erfolgt mittels Fitalgorithmen, die die Emissionskonstanten und Zustandsdichten direkt aus den Transienten liefern. Die für unterschiedliche Energien gefundenen Zustände der Si/SiO₂-Grenzfläche wurden mit einschlägigen Literaturdaten [2] verglichen und auf Unterschiede in den Einfangquerschnitten hin untersucht. Möglich wird diese Diffenzierung durch unterschiedlich hergestellte Proben (As-Oxidized, Forming Gas Anneal und Alneal), bei denen jeweils ein anderer charakteristischer Grenzflächendefekt dominant ist.

[1] T. Katsube et al., J. Appl. Phys. 52 (1981) 3504-3508

[2] W. Füssel, et al., Nucl. and Meth. in Phys. Res. A 377 (1996) 177-183