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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Photovoltaik II

HL 14.5: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 11:30–11:45, H1

II-VI Halbleiter für eine Solarzelle mit extrem dünnem Absorber — •Katja Ernst, Susanne Siebentritt, Rolf Könenkamp, and Martha Christina Lux-Steiner — Hahn-Meitner-Institut Berlin, Abt. FH, Glienicker Str. 100, 14195 Berlin

Die eta-Solarzelle besteht aus einem transparenten pn-Übergang, in den ein extrem dünner, anorganischer Absorber eingebettet wird (extremely thin absorber - eta). Aufgrund der geringen Absorberdicke werden die erzeugten Ladungsträgerpaare sofort getrennt und in die transparenten Halbleiter injiziert, wo sie sich als Majoritätsladungsträger ohne Rekombinationsverluste bewegen. Die geringe Dicke erfordert eine Faltung des Absorbers, um einen mehrfachen Lichtdurchtritt zu erreichen.

Als vielversprechende Materialien für einen solchen Zellaufbau haben sich die II-VI-Halbleiter CdTe (als Absorber) und ZnTe (als transparenter p-Halbleiter) in Verbindung mit einer mikroporösen Matrix aus TiO2 (als transparentem n-Halbleiter) gezeigt. Aufbauend auf bisherige Ergebnisse mit dem Absorber Cdte [1] wird über eine weitere Optimierung der CdTe/TiO2-Grenzfläche berichtet, sowie die Elektrodeposition auf porösen Substraten anhand des transparenten p-Halbleiters ZnTe untersucht. Anhand von Messungen der Spektralen Empfindlichkeit wird die sich ausbildende Grenzfläche charakterisiert und auf ihre Tauglichkeit in bezug auf die Ladungstrennung überprüft.

[1] S. Siebentritt, K. Ernst, C.-H. Fischer, R. Könenkamp and M. C. Lux-Steiner, Proceedings of the 14th European Photovoltaic Solar Energy Exhibition, Barcelona, 1997